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低压低功耗高隔离度差分放大器制造技术
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文档序号:3401944
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本发明提供一种低压低功耗高隔离度差分放大器,该放大器差分信号的输入端为两个以共源方式连接 的金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET,采用电阻、电感或其它有源器件作为负载,电阻、电感或其它有源器件作为放大器源端反馈元件或尾电流源,本发明增加...
该专利属于北京大学所有,仅供学习研究参考,未经过北京大学授权不得商用。
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