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实施例包括一种形成半导体器件的方法和所得器件。该方法可以包括在分层的纳米片的半导体层的暴露的部分上形成源极/漏极。该方法可以包括在源极/漏极上形成牺牲材料。该方法可以包括形成覆盖牺牲材料的电介质层。该方法可以包括利用接触衬垫代替牺牲材料。半...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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