温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底、栅极结构、位于栅极结构侧壁的侧墙、源漏掺杂区、底部介质层以及源漏接触层；去除侧墙形成间隙；形成保形覆盖于间隙的底部和侧壁的保护层；在底部介质层上形成顶部介质层，顶部介质层密封间隙形成空气隙...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。