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本发明揭示了一种晶硅扩散死层处理方法及晶硅太阳能电池，所述方法包括：S1、通过第一溶液对晶硅表面进行腐蚀，去除晶硅表面在PN结扩散工艺中形成的PSG层；S2、通过第二溶液对晶硅表面进行刻蚀，去除晶硅表面的扩散死层；S3、通过第三溶液对晶硅表...
该专利属于苏州大学所有，仅供学习研究参考，未经过苏州大学授权不得商用。

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