温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

提供一种半导体装置，其具备：第一导电型的缓冲区，其配置于半导体基板的下表面侧，并具有两个以上的掺杂浓度峰；第一导电型的高浓度区，其配置于缓冲区与半导体基板的上表面之间，在深度方向上具有50μm以上的长度，且施主浓度比体施主浓度高；以及第一导...
该专利属于富士电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。