下载在半导体器件制造过程中选择性去除氮化硅的蚀刻组合物和方法的技术资料

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所公开和要求保护的主题涉及一种蚀刻组合物,其包含(A)磷酸和(B)包含(i)含硅化合物和(ii)水性溶剂的混合物。在一些实施方案中,蚀刻组合物包含另外的成分。蚀刻组合物可用于在微电子器件的制造过程中从具有氧化硅和氮化硅材料的微电子器件上相对...
该专利属于弗萨姆材料美国有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过弗萨姆材料美国有限责任公司授权不得商用。

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