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本发明公开了一种易于剥离的晶圆级氮化镓外延生长方法，包括以下步骤：步骤1：取c面蓝宝石单晶衬底；步骤2：在蓝宝石衬底上生长出氮化硼二维材料；步骤3：生长了氮化硼二维材料的蓝宝石衬底表面上，使用卤化物气相外延生长出氮化镓厚膜；步骤4：降低至室...
该专利属于西湖大学所有，仅供学习研究参考，未经过西湖大学授权不得商用。

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