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本发明抑制具备使用将P型多晶硅作为栅电极的增强型晶体管的基准电压电路的半导体装置在高温放置试验中的阈值电压偏移。作为具备基准电压电路的半导体装置，其具备将P型多晶硅作为第1栅电极的增强型晶体管和将N型多晶硅作为第2栅电极的耗尽型晶体管，前述...
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