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半导体元件及其制作方法技术
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文档序号:33329335
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本发明公开一种半导体元件及其制作方法,其中该制作半导体元件的方法为,首先形成一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)于基底上,然后形成一上电极于MTJ上,形成一金属间介电层环绕上电极及MTJ,形成一接触...
该专利属于联华电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。
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