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本发明提供一种发光二极管的外延结构及其制备方法，该外延结构包括：蓝宝石衬底及在所述蓝宝石衬底上依次向上层叠生长的ALN缓冲层、重掺Si的N型层、应力释放层、多量子阱发光层及重掺Mg的P型层；其中，所述多量子阱发光层是由量子阱层和量子垒层交替...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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