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一种晶圆清洗方法及装置制造方法及图纸
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文档序号:33210258
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本发明属于半导体制造技术领域,公开了一种晶圆清洗方法及装置,该方法包括:S1、将经过激光开槽和等离子切割后的待清洗晶圆置于真空腔室中,向真空腔室中通入氮气或惰性气体以清理待清洗晶圆表面的颗粒物;S2、保持真空腔室的真空环境,向其中通入水蒸气...
该专利属于湖北江城实验室所有,仅供学习研究参考,未经过湖北江城实验室授权不得商用。
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