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一种包括缓冲层和位于缓冲层之上的复合层的氮化物半导体分层结构。该缓冲层是一个包括ＡｌＮ的低温沉积的氮化物半导体材料层。该复合层是一个包括ＡｌＮ的单晶氮化物半导体材料层。该复合层包括临近缓冲层的第一亚层和位于该第一亚层之上第二亚层。该复合层的...
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