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本发明涉及一种用化合物半导体制造光发射装置的方法，更特别是一种用Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体制造光发射装置的方法，通过在比传统技术低的温度下进行热处理，增加元件光发射效率或耐久性，即在高氧浓度条件下激活ｐ－半导体层，此想法来源众所周知的事实，即氧浓...
该专利属于LG电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过LG电子有限公司授权不得商用。

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