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半导体激光器件制造技术
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文档序号:3312593
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本发明的目的是提供一种高输出增益波导型半导体激光器件,通过抑制(100)DLD生成,而具有高可靠性。半导体激光器件具备增益波导型的半导体激光构造部,该半导体激光构造部形成在形成了沿振荡方向延伸的2个沟槽的半导体基板上,电流注入条设置为被该沟...
该专利属于奥普拓能量株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过奥普拓能量株式会社授权不得商用。
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