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本发明提供了一种终端结构及其制造方法、半导体器件，所述终端结构位于一衬底的终端区，所述衬底还包括元胞区，所述终端区围绕所述元胞区；所述终端结构包括：VLD分压环，形成于所述终端区的靠近所述元胞区的一端且向远离所述元胞区的另一端方向延伸，所述...
该专利属于绍兴中芯集成电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过绍兴中芯集成电路制造股份有限公司授权不得商用。

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