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本发明涉及发光器件技术领域,具体而言,涉及一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括衬底和在衬底表面依次层叠设置的N型半导体层、多量子阱发光层,电子阻挡层和P型半导体层,电子阻挡层包括第一子层、第二子层和第三子层;多量子阱发光层、第一子层、...该专利属于淮安澳洋顺昌光电技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过淮安澳洋顺昌光电技术有限公司授权不得商用。
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本发明涉及发光器件技术领域,具体而言,涉及一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括衬底和在衬底表面依次层叠设置的N型半导体层、多量子阱发光层,电子阻挡层和P型半导体层,电子阻挡层包括第一子层、第二子层和第三子层;多量子阱发光层、第一子层、...