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本发明公开了一种SiC/Si混合并联器件的栅极优化控制方法及装置，具体为：步骤1：根据流经SiC/Si混合并联器的负载电流选择开关模式；步骤2：采用迭代计算根据SiC/Si混合并联器件的损耗计算SiC MOSFET的结温T
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该专利属于南京开关厂有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京开关厂有限公司授权不得商用。

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