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本发明提供一种具有基于CMOS工艺的片上参比电极的传感芯片，包括一半导体介质、一生长于所述半导体介质上表面的钝化层以及一参比电极；所述半导体介质内部从上至下依次设置有一第一顶层金属、一第二顶层金属及多个连接金属层；所述第一顶层金属及所述第二...
该专利属于北京航空航天大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京航空航天大学授权不得商用。

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