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本发明公开了一种GaN基器件隔离的方法，在GaN HEMT结构表面需要做器件隔离的区域蒸镀Fe膜，采用脉冲激光加热Fe膜覆盖区域，合理控制激光脉冲能量，加速Fe扩散进入样品并使样品重结晶，从而将Fe并入样品晶格。Fe杂质在GaN基材料中是深...
该专利属于浙江大学杭州国际科创中心所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学杭州国际科创中心授权不得商用。

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