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本发明提供晶片的分离方法，能够将外周部进行了倒角的晶片稳定地分离。在本发明中，在晶片的内部形成分离起点之前，按照沿着外周面的弯曲部(进行了倒角的外周部)将晶片的一部分去除的方式对晶片进行加工。由此，能够不产生外周面的弯曲部中的激光束的漫反射...
该专利属于株式会社迪思科所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社迪思科授权不得商用。

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