温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种P型MOSFET器件及其制备方法。方法包括步骤：提供半导体基底，内定义有若干有源区以及浅沟槽隔离结构，有源区表面形成有垫氧化层；对有源区进行N型深阱离子注入；去除垫氧化层；形成牺牲氧化层；对有源区依次进行隔离元素注入、氪元素注...
该专利属于上海功成半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海功成半导体科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。