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本发明公开了一种间接式等离子体大腔体刻蚀的结构及其制备工艺，其结构包括腔体晶圆、键合晶圆和芯片；该间接式等离子体大腔体刻蚀的结构制备工艺包括前处理工艺、等离子体深硅刻蚀工艺以及键合工艺。本发明完美解决了深硅刻蚀过程中单腔体刻蚀时间长，刻蚀形...
该专利属于武汉大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉大学授权不得商用。

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