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本发明公开了一种异质结太阳电池的硅片处理方法，所述硅片处理方法包括提供一硅片，对硅片进行预处理，去除所述硅片表面的原始损伤层、杂质和氧化层；将所述硅片置于等离子体增强化学气相沉积设备的反应腔内，将所述等离子体增强化学气相沉积设备的基板温度控...
该专利属于国家电投集团科学技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过国家电投集团科学技术研究院有限公司授权不得商用。

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