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本实用新型公开了一种高密度扇出封装结构，包括：基板、散热胶层、凸点、金属线路层、填充层、塑封层和金属薄膜，金属线路层连接芯片，填充层设置在芯片的底部且连接金属线路层，金属线路层底部设有若干凸点，凸点连接金属线路层和基板，塑封层包覆芯片以及填...
该专利属于江苏芯德半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏芯德半导体科技有限公司授权不得商用。

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