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半导体结构及其制作方法技术
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文档序号:32707852
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本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法,半导体结构的制作方法包括:提供基底和位于基底上的位线结构,位线结构包括顶层介质层,位线结构相对两侧具有电容接触孔;形成覆盖顶层介质层侧壁的第一隔离侧墙,以及形成覆盖第一隔离侧墙侧壁的第二隔离侧墙,...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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