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存储器装置制造方法及图纸
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文档序号:32706135
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本发明提供一种存储器装置。存储器装置包含堆叠结构、管状元件、导电柱与多个存储器单元。管状元件包含虚设通道层,且管状元件贯穿该堆叠结构。导电柱被管状元件围绕,且导电柱延伸超过虚设通道层的底表面。多个存储器单元在堆叠结构中并电性连接至导电柱。在...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。
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