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本申请公开一种单晶金刚石生长用沉积基底及单晶金刚石的制造方法本申请中单晶金刚石生长用沉积基底，结构包括：第一层为带图案的硅基底；第二层为过度层；第三层为金属铱层。其次，本申请公开了单晶金刚石生长用基底的预处理方法：a.刻蚀带图案的硅基底；b...
该专利属于安徽光智科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽光智科技有限公司授权不得商用。

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