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本发明提供一种IGBT器件，包括：衬底、位于所述衬底上的外延层、多个阻挡结构、多个栅极、多个基极区和发射极区。所述外延层中形成有多个沟槽；各阻挡结构均位于各沟槽的底部；各栅极均填充各沟槽；各基极区均位于外延层中并且均位于两两相邻的栅极之间；...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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