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提供了一种具有栅电极的半导体装置和包括其的电子系统。所述半导体装置包括：基底，具有第一区域和第二区域，以及在第一区域和第二区域中由隔离层限定的有源区域；p型栅电极，掺杂有p型杂质并且包括p型下栅极层和位于p型下栅极层上的p型上栅极层，并且第...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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