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本发明提供一种ＲＦ　　ＭＥＭＳ开关的互联结构的实现方法，属于射频微机电开关（ＲＦ　　ＭＥＭＳ　　Ｓｗｉｔｃｈ）的技术领域。该方法利用一次多晶硅的生长，制备ＲＦ　　ＭＥＭＳ开关的驱动、互联结构和接触部分，其中，驱动和接触部分为掺杂的多晶硅，驱...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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