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电容器结构和芯片天线制造技术
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文档序号:32609142
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本发明涉及一种使用半导体工艺实现的电容器结构。该电容器结构包括由介电材料分开的复数个叉指正负电极指状物,及由该介电材料分开的复数个经图案化的金属化层。每个叉指电极指状物包括:侧向部分,其形成在至少两个基本上平行的第一金属化层中的一者上;以及...
该专利属于可尔HW半导体公司所有,仅供学习研究参考,未经过可尔HW半导体公司授权不得商用。
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