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本申请是关于一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管，包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、沟槽区、漏极以及源极；所述漂移区与所述衬底区相接，以所述衬底区指向所述漂移区的方向为上方，所述基体区和所述源区依次设置在所述漂移区的上方；所述沟槽区设置在所述基体...
该专利属于无锡先瞳半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡先瞳半导体科技有限公司授权不得商用。

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