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一种三维堆叠电容集成结构及其制作方法技术
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文档序号:32459427
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本发明涉及一种三维堆叠电容集成结构,包括:衬底,所述衬底具有正面和与正面相对的背面;一个或多个电容,所述电容包括多个电容极板以及夹在相邻电容极板之间的电容介质,其中所述电容极板为贯穿衬底的顶面和底面的平板。本发明还涉及一种三维堆叠电容集成结...
该专利属于上海先方半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海先方半导体有限公司授权不得商用。
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