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本发明公开了半导体功率器件技术领域内的一种快恢复二极管的铂掺杂方法，包括以下步骤：在N型硅衬底正面生长氧化层；在氧化层上开设掺杂窗口并注入硼离子形成P型掺杂区，再经退火处理，退火后在P型掺杂区表面形成薄氧化层；在薄氧化层上开设出正面电极的接...
该专利属于扬州国宇电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过扬州国宇电子有限公司授权不得商用。

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