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本实施方式的半导体装置具备包含配线层的配线衬底。第1半导体芯片设置在配线衬底的上方。金属线连接第1半导体芯片与配线衬底。硅芯片设置在第1半导体芯片的上方，且覆盖在金属线的上方。树脂层将第1半导体芯片、硅芯片及金属线密封。硅芯片与配线衬底绝缘...
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