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结构具有位于衬底上方并且邻近介电部件的半导体层的堆叠件。形成包裹每层和介电部件的栅极电介质。在栅极电介质和介电部件上方沉积第一栅电极材料的第一层。介电部件上的第一层凹进至介电部件的顶面下方第一高度。在第一层上方沉积第一栅电极材料的第二层。去...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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