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一种便携式信息终端，该信息终端包括一个半导体装置，所述半导体装置具有多个Ｎ沟道和Ｐ沟道薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：在一个基板的绝缘表面上形成的结晶性硅膜作为有源层，所述有源层具有至少一个沟道区和源、漏区，并包括一种卤族元素；其中所述结晶...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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