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性能提高的砷化镓异质结双极晶体管及其制造方法技术
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文档序号:3238470
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根据示例实施例,砷化镓异质结双极晶体管包括集电极层和位于集电极层的上面的第一隔离层,所述第一隔离层是高掺杂P+层。例如,第一隔离层可以包括掺杂碳的GaAs。该砷化镓异质结双极晶体管还包括位于第一隔离层的上面的基极层。该基极层可以包括例如一定...
该专利属于斯盖沃克斯瑟路申斯公司所有,仅供学习研究参考,未经过斯盖沃克斯瑟路申斯公司授权不得商用。
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