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一种新颖晶体管结构及用于制造该结构的方法。该晶体管结构包括：（ａ）衬底；以及（ｂ）在所述衬底上的半导体区域，栅极介质区域，和栅极区域，其中所述栅极介质区域夹在所述半导体区域和所述栅极区域之间，其中所述半导体区域通过所述栅极介质区域与所述栅极...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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