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线状元件制造技术
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文档序号:3237967
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线状MISFET的特征是具有柔软性与可挠性、并可形成任意形状的集成电路,常见的构造为源极区与漏极区并列配置的结构。然而,因为决定MISFET的电性通道长度由沿着圆柱形栅极绝缘区的源极区与栅极区间的距离来决定,故难以提高通道长度的细微化与再现...
该专利属于理想星株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过理想星株式会社授权不得商用。
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