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本发明提供了一种ＣＭＯＳ（互补金属氧化物半导体）图像传感器及其制造方法。在该方法中，在衬底上依次形成光电二极管、层间绝缘层、滤色器层、和平坦化层。在平坦化层上涂敷光刻胶。使光刻胶选择性地形成图样，以形成多个光刻胶图样。硬化每个光刻胶图样的表...
该专利属于东部电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东部电子株式会社授权不得商用。

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