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本发明公开了一种解决金属硅化物沉淀沿ＳＴＩ边缘小角向下延伸的方法，在现有工艺进行金属硅化物沉淀前先沉淀一层二氧化硅膜，然后进行一次光刻，保护住ＳＴＩ部分并且向两侧延伸，再通过刻蚀去除未保护部分二氧化硅膜。本发明方法可以解决由于ＳＴＩ边缘的凹...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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