温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明的目的在于提供一种获得高击穿电压和紧凑性的绝缘栅极型半导体器件及其生产方法。半导体器件（１００）具有形成在单元区域中的多个栅极沟槽（２１）和Ｐ浮置区域（５１），并且具有形成在接线区域中的多个接线沟槽（６２）和Ｐ浮置沟槽（５３）。另外，...
该专利属于丰田自动车株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过丰田自动车株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。