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在具有混合表面取向的单个芯片上形成深沟槽电容器存储器件（５０）和逻辑器件（３２，４０）的方法。该方法允许制造具有增强的性能的系统级芯片（ＳｏＣ），包括在（１００）表面取向硅上的ｎ型互补金属氧化物半导体（ＣＭＯＳ）器件ＳＯＩ阵列和逻辑晶体管，...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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