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本发明公开了一种忆阻器3D阵列架构及其制备方法，属于忆阻器阵列架构技术领域。忆阻器3D阵列架构包括电极和阻变单元，电极包括顶电极和底电极，顶电极所在的水平面置于底电极所在的水平面的上方，阻变单元的一端与顶电极连接、另一端与底电极连接，第n个...
该专利属于南京邮电大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京邮电大学授权不得商用。

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