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本发明提供一种能在短时间内高效率地使腔室内的温度稳定化的热处理方法。在对作为处理对象的半导体晶圆进行处理之前，对多个虚设晶圆进行加热处理，从而将基座等腔室内构造物预热。针对多个虚设晶圆中的前几片虚设晶圆，在通过来自卤素灯的光照射加热到第1加...
该专利属于株式会社斯库林集团所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社斯库林集团授权不得商用。

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