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提供可维持较低的导通电压并谋求高速化的半导体装置。半导体装置（１０ａ）具有：具有主表面（１２）的半导体衬底（１１）；半导体元件，具有形成在所述半导体衬底（１１）上的绝缘栅型场效应部。半导体元件包括ｎ↑［－］区域（１０１）、ｎ型源极区域（１０...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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