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自对准栅结构纳米场效应晶体管及其制备方法技术
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文档序号:3235134
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本发明公开了一种自对准栅结构纳米场效应晶体管及其制备方法,以一维半导体纳米材料作为导电通道,其两端分别是源、漏电极;用原子层沉积方式生长栅介质层,覆盖在源、漏电极之间,以及源、漏电极相对面的侧壁和部分源、漏电极上;在栅介质层上再通过蒸发或溅...
该专利属于北京大学所有,仅供学习研究参考,未经过北京大学授权不得商用。
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