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光电倍增管用光电阴极及其制备方法技术
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文档序号:32349522
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本发明属于光电倍增管技术领域,具体涉及一种光电倍增管用光电阴极及其制备方法。本发明提供了一种光电倍增管用光电阴极,以铜铍合金为支撑基板,Be2N3薄膜为光电子反射层,K2CsSb薄膜为光电子发射层,弥补了现有技术中光电阴极材料量子效率低、稳...
该专利属于杭州安誉科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过杭州安誉科技有限公司授权不得商用。
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