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本发明公开了一种具有小发散角的边发射半导体激光器及其制备方法，其中激光器包括：衬底；有源层，位于衬底的一侧；至少两层的模式扩展层，模式扩展层与有源层位于衬底的同一侧；相邻的两层模式扩展层之间以及有源层与模式扩展层之间设置有第一间隔层；模式扩...
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